Лабораторная установка «Методы измерения параметров ЭКБ» — компания «МИР»

Лабораторная установка «Методы измерения параметров ЭКБ»

Лабораторная установка «Методы измерения параметров ЭКБ»

В состав лабораторной установки входит универсальная измерительная платформа МИР Электроника специализированная макетная плата «Методы измерения параметров ЭКБ»

Обзор

Все лабораторные работы проводятся на специально разработанной макетной
плате «Методы измерения параметров ЭКБ». Изучаемые схемы представлены на интерактивной
лицевой панели программного обеспечения, а также в руководстве
пользователя. Программное обеспечение включает также теоретические материалы, к которым можно обратиться при выполнении работы.
ЭКБ1.jpg

ПО

Программное обеспечение по проведению лабораторных работ Методы измерения параметров ЭКБ.

экб2.jpg  экб3.jpg  экб4+.jpg

Дополнительно

Лабораторные работы

Аналогово-цифровой преобразователь:

  • аддитивная и мультипликативная погрешности;
  • потребляемая мощность;
  • входные характеристики (входной ток и сопротивление);
  • интегральная и дифференциальная нелинейности;
  • младший бит и полномасштабный диапазон;
  • отношение сигнал/шум (SNR);
  • отношение сигнал/шум и искажения (SINAD);
  • общие гармонические искажения (THD);
  • динамический диапазон свободный от гармоник (SFDR).

Цифро-аналоговый преобразователь:

  • аддитивная и мультипликативная погрешности;
  • потребляемая мощность;
  • выходной ток нагрузки и выходное сопротивление;
  • интегральная и дифференциальная нелинейности;
  • младший бит и полномасштабный диапазон;
  • общие гармонические искажения (THD);
  • отношение сигнал/шум (SNR);
  • отношение сигнал/шум и искажения (SINAD);
  • динамический диапазон свободный от гармоник (SFDR);
  • время установления.

Для операционного усилителя

  • коэффициент усиления;
  • входные токи;
  • напряжение смещения;
  • входное и выходное сопротивление;
  • скорость нарастания выходного напряжения;
  • амплитудно-частотная характеристика.

Для электронных компонентов

  • входные характеристики транзисторов;
  • выходные характеристики транзисторов;
  • h-параметр транзистора;
  • вольт-амперная характеристика диода,
  • емкость и уголь потерь конденсатора;
  • сопротивление, паразитная емкость, индуктивность резистора.