TG300HF12M1-S300 - полумостовой модуль IGBT - 1200В — компания «МИР»

TG300HF12M1-S300 - полумостовой модуль IGBT - 1200В

TG300HF12M1-S300 - полумостовой модуль IGBT - 1200В
TG300HF12M1-S300 - полумостовой модуль IGBT – это силовая сборка на основе IGBT - транзисторов. Напряжение коллектор-эмиттер до 1200В.

Обзор

TG300HF12M1-S300 - полумостовой модуль IGBT – это силовая сборка на основе IGBT - транзисторов. Напряжение коллектор-эмиттер до 1200В.

TG300HF12M1-S300 - полумостовой модуль IGBT – это силовая сборка на основе IGBT - транзисторов. Напряжение коллектор-эмиттер до 1200В.
 IGBT-модуль – это силовая сборка на основе IGBT - транзисторов. Основные сферы применения IGBT – модулей: Цепи преобразователей напряжений, Устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.

Основные параметры

Размеры модуля 106,4*61,4*30,9 мм

параметр значение
VCES _ 1200 V
VCE(sat) Typ. 1.75 V
IC Max. 300 A
IC(RM) Max. 600 A



300-12-1Рис.1 Выходная характеристика IGBT, IC= f (VCE) 
Рис.2 Выходная характеристика IGBT, IC= f (VGE)


300-12-2Рис.3 Выходная характеристика IGBT,  IC= f (VCE)
Рис.4 Передаточная характеристика IGBT, IC= f (VGE)


300-12-3Рис.5 Энергия переключения IGBT, Eon= f (IC), Eoff= f (IC)
Рис.6 Энергия переключения IGBT, Eon= f(RG), Eoff= f (RG)