TG300HF17M1-S300 - полумостовой модуль IGBT - 1700В — компания «МИР»

TG300HF17M1-S300 - полумостовой модуль IGBT - 1700В

TG300HF17M1-S300 - полумостовой модуль IGBT - 1700В
TG300HF17M1-S300 - полумостовой модуль IGBT – это силовая сборка на основе IGBT транзисторов. Напряжение коллектор-эмиттер до 1700В.

Обзор

TG300HF17M1-S300 - полумостовой модуль IGBT – это силовая сборка на основе IGBT транзисторов. Напряжение коллектор-эмиттер до 1700В.

TG300HF17M1-S300 - полумостовой модуль IGBT – это силовая сборка на основе IGBT транзисторов. Напряжение коллектор-эмиттер до 1700В.
 IGBT-модуль – это силовая сборка на основе IGBT - транзисторов. Основные сферы применения IGBT – модулей: Цепи преобразователей напряжений, Устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.

Основные параметры

Размеры модуля 151,8*62*20,8 мм

параметр
значение
V CES _ 1700 V
V CE(sat) Typ. 1,80 V
I C Max. 300 A
I C(RM) Max. 600 A



300-17-1Рис.1 Выходная характеристика IGBT, IC= f (VCE) 
Рис.2 Выходная характеристика IGBT, IC= f (VGE)


300-17-2Рис.3 Выходная характеристика IGBT,  IC= f (VCE)
Рис.4 Передаточная характеристика IGBT, IC= f (VGE)


300-17-3Рис.5 Энергия переключения IGBT, Eon= f (IC), Eoff= f (IC)
Рис.6 Энергия переключения IGBT, Eon= f(RG), Eoff= f (RG)


300-17-4Рис.7 Переходное тепловое сопротивление, Zth(J-C) = f (tp)
Рис.8 Характеристика термистора NTC, R= f(TC)