TG300HF17M1-S300 - полумостовой модуль IGBT - 1700В
TG300HF17M1-S300 - полумостовой модуль IGBT – это силовая сборка на основе IGBT транзисторов. Напряжение коллектор-эмиттер до 1700В.
TG300HF17M1-S300 - полумостовой модуль IGBT – это силовая сборка на основе IGBT транзисторов. Напряжение коллектор-эмиттер до 1700В.
IGBT-модуль – это силовая сборка на основе IGBT - транзисторов. Основные сферы применения IGBT – модулей: Цепи преобразователей напряжений, Устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.
Рис.1 Выходная характеристика IGBT, IC= f (VCE)
Рис.2 Выходная характеристика IGBT, IC= f (VGE)
Рис.3 Выходная характеристика IGBT, IC= f (VCE)
Рис.4 Передаточная характеристика IGBT, IC= f (VGE)
Рис.5 Энергия переключения IGBT, Eon= f (IC), Eoff= f (IC)
Рис.7 Переходное тепловое сопротивление, Zth(J-C) = f (tp)
Рис.8 Характеристика термистора NTC, R= f(TC)
IGBT-модуль – это силовая сборка на основе IGBT - транзисторов. Основные сферы применения IGBT – модулей: Цепи преобразователей напряжений, Устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.
Основные параметры
Размеры модуля 151,8*62*20,8 мм|
параметр
|
значение | ||
| V CES | _ | 1700 | V |
| V CE(sat) | Typ. | 1,80 | V |
| I C | Max. | 300 | A |
| I C(RM) | Max. | 600 | A |
Рис.1 Выходная характеристика IGBT, IC= f (VCE) Рис.2 Выходная характеристика IGBT, IC= f (VGE)
Рис.3 Выходная характеристика IGBT, IC= f (VCE)Рис.4 Передаточная характеристика IGBT, IC= f (VGE)
Рис.5 Энергия переключения IGBT, Eon= f (IC), Eoff= f (IC)
Рис.6 Энергия переключения IGBT, Eon= f(RG), Eoff= f (RG)
Рис.7 Переходное тепловое сопротивление, Zth(J-C) = f (tp)Рис.8 Характеристика термистора NTC, R= f(TC)
