TSSemi - тестер мощных полупроводниковых приборов — компания «МИР»

TSSemi - тестер мощных полупроводниковых приборов

TSSemi - тестер мощных полупроводниковых приборов
Тестер предназначен для функционального и параметрического контроля статических и динамических параметров мощных  (до 4500 В и 600 А) п/п приборов.
Особенности системы:
Контроль на этапах входного и межоперационного контроля,
Тестирование изделий в полном соответствии с ГОСТ,
Тестирование кристаллов, либо корпусированных изделий

Обзор

Тестеры предназначены для функционального и параметрического контроля статических и динамических параметров мощных  (до 4500 В и 600 А) п/п приборов:

— Мощных диодов (FRD),
— Биполярных транзисторов (ВТ),
— Полевых транзисторов (MOSFET),
— Биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
— Интеллектуальных силовых модулей
— Тиристоры
— Стабилитроны
— Оптопары
— Микросхемы в корпусе или на пластине и т.д.


Оборудование

  • Контрольно-измерительный тестер для мощных полупроводниковых приборов
  • Адаптеры (опционально)
  • Оснастки (опционально)
  • Программа автоматизированного контроля SINUS
  • Программные средства разработки (редактирования) измерительных программ (опционально)
  • Руководство пользователя в электронном виде (форматы DOC, PDF);


Дополнительно

Особенности системы:
Контроль на этапах входного и межоперационного контроля,
Тестирование изделий в полном соответствии с ГОСТ,
Тестирование кристаллов, либо корпусированных изделий

Тестер может применяться для контроля параметров полупроводниковых приборов, как на стадии входного контроля, серийного производства и испытаний, так и на стадии разработки.

Конструктивно тестер выполнен в едином корпусе для удобства перемещения в зависимости от поставленной задачи.
При дооснащении дополнительными опциями и комплектующими тестер позволяет производить полнофункциональное и параметрическое тестирование мощных диодов (FRD), биполярных транзисторов (ВТ), биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), тиристоров, стабилитронов, оптопар, измерение микросхем в корпусе или на пластине.

Спецификации моделей указаны ниже

Источник и измеритель напряжения и тока с большим выходным током

Характеристика TSSemi 1200A TSSemi 1200B TSSemi 2500 TSSemi 4000
Диапазоны напряжения -3 В, -10 В, -30 В, -60 В +3 В, +10 В, +30 В, +60 В +3 В, +10 В, +30 В, +60 В +3 В, +10 В, +30 В, +60 В
Диапазоны тока 5 А, 50 А,
200 А
5 А, 50 А,
200 А
10 А, 100 А,
300 А
10 А, 100 А,
400 А

Высоковольтный источник и измеритель напряжения и тока

Характеристика TSSemi 1200A TSSemi 1200B TSSemi 2500 TSSemi 4000
Диапазоны напряжения 300 В, 600 В,
1200 В
- ±100 В, ±200 В,
±800 В, ±2500 В,
±100 В, ±200 В,
±800 В, ±2000 В
±4000 В,
Диапазоны тока 0.5 мкА, 5 мкА,
50 мкА, 500 мкА,
5 мА, 50 мА,
100 мА,
5 А (импульсный
режим)
- 100 мA, 50 мА,
20 мА, 5 мА,
300 мкА, 50 мкА,
5 мкА, 0.5 мкА
100 мA, 50 мА,
20 мА, 5 мА,
300 мкА, 50 мкА,
5 мкА, 0.5 мкА

Прецизионный источник и измеритель напряжения и тока

Характеристика TSSemi 1200A TSSemi 1200B TSSemi 2500 TSSemi 4000
Количество независимых каналов 1 1 2 2
Диапазоны напряжения ±5 В, ±10 В, ±60 В, ±100 В ±5 В, ±10 В, ±60 В, ±100 В ±3 В, ±5 В, ±10 В, ±30 В ±3 В, ±5 В, ±10 В, ±30 В
Диапазоны тока 5 мкА, 50 мкА, 500 мкА,
5 мА, 50 мА, 500 мА,
5 А (импульсный
режим)
5 мкА, 50 мкА, 500 мкА,
5 мА, 50 мА, 500 мА,
5 А (импульсный
режим)
5 мкА, 50 мкА, 500 мкА,
5 мА, 50 мА, 500 мА, 5 A,
10 А (импульсный
режим)
5 мкА, 50 мкА, 500 мкА,
5 мА, 50 мА, 500 мА, 5 A,
10 А (импульсный
режим)

Импульсный генератор и быстродействующий источник – измеритель

Характеристика TSSemi 1200A TSSemi 1200B TSSemi 2500 TSSemi 4000
Диапазон напряжения (режим ИГ) 50 Ом: ±5 В
>10 кОм: ±10 В
50 Ом: ±5 В
>10 кОм: ±10 В
- -
Разрядность 14 бит 14 бит - -
Диапазон напряжения (быстрая ВАХ) ±10 В ±10 В - -
Диапазон измерителя тока (быстрая ВАХ) 10 мкА, 100 мкА,
1 мА, 10 мА,
100 мА
10 мкА, 100 мкА,
1 мА, 10 мА,
100 мА
- -

Источник опорных напряжений

Характеристика TSSemi 1200A TSSemi 1200B TSSemi 2500 TSSemi 4000
Количество независимых каналов  6  6  6  6
Диапазон напряжения ±3 В, ±10 В, ±12 В ±3 В, ±10 В, ±12 В ±3 В, ±10 В, ±12 В ±3 В, ±10 В, ±12 В
Максимальный выходной ток 50 мА 50 мА 50 мА 50 мА
Погрешность задания напряжения ±0.05 % от диапазона ±0.05 % от диапазона ±0.05 % от диапазона ±0.05 % от диапазона

Осциллограф

Четыре аналоговых входа 8 бит, 1.5 ГВыб/с, полоса 350 МГц, ±20 В макс.

Генератор

125 МВыб/с, 14 бит, макс. частота 20 МГц (синус), ±12 В макс.



Преимущества, особенности

  • Cокращение времени и затрат

    Значительное сокращение времени и затрат производственного процесса.

  • Использование готовых решений с учетом ГОСТ

    Возможность использования программно-аппаратных готовых решений для разных типов ПП с учетом ГОСТ и других нормативных документов.

  • Настройка тест-планов в графической среде

    Настройка тест-планов (задание последовательности и перечня тестов, задание режимов измерения для каждого теста, задание условий и норм разбраковки и сортировки) в графической среде, без применения специальных языков программирования.

  • Управление периферийными устройствами

    Возможность использования программно-аппаратных готовых решений для разных типов ПП с учетом ГОСТ и других нормативных документов.

  • Совместимость с SINUS.

    Совместимость с автоматизированной платформой тестирования SINUS.

  • Самостоятельная поверка, калибровка

    Наличие набора для метрологической поверки, калибровки и контроля работоспособности тестера.