TIM250PHM33-PSA011 - полумостовой модуль IGBT - 3300В
TIM250PHM33-PSA011 - полумостовой модуль IGBT – это силовая сборка на основе IGBT - транзисторов. Напряжение коллектор-эмиттер до 3300В.
TIM250PHM33-PSA011 - полумостовой модуль IGBT – это силовая сборка на основе IGBT - транзисторов. Напряжение коллектор-эмиттер до 3300В.
IGBT-модуль – это силовая сборка на основе IGBT - транзисторов. Основные сферы применения IGBT – модулей: Цепи преобразователей напряжений, Устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.
Рис.1 Выходная характеристика IGBT, IC= f (VCE)
Рис.2 Выходная характеристика IGBT, IC= f (VGE)
Рис.3 Выходная характеристика IGBT, IC= f (VCE)
Рис.4 Передаточная характеристика IGBT, IC= f (VGE)
Рис.5 Энергия переключения IGBT, Eon= f (IC), Eoff= f (IC)
Рис.6 Энергия переключения IGBT, Eon= f(RG), Eoff= f (RG)
IGBT-модуль – это силовая сборка на основе IGBT - транзисторов. Основные сферы применения IGBT – модулей: Цепи преобразователей напряжений, Устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.
Основные параметры
Размеры модуля 140*73*38 мм| параметр | значение | ||
| VCES | _ | 3300 | V |
| VCE(sat) | Typ. | 2.5 | V |
| IC | Max. | 250 | A |
| IC(RM) | Max. | 500 | A |
Рис.1 Выходная характеристика IGBT, IC= f (VCE) Рис.2 Выходная характеристика IGBT, IC= f (VGE)
Рис.3 Выходная характеристика IGBT, IC= f (VCE)Рис.4 Передаточная характеристика IGBT, IC= f (VGE)
Рис.5 Энергия переключения IGBT, Eon= f (IC), Eoff= f (IC)Рис.6 Энергия переключения IGBT, Eon= f(RG), Eoff= f (RG)
